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三種ESD模型及其防護(hù)設(shè)計
日期：2026-01-26 07:47
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摘要：
三種ESD模型及其防護(hù)設(shè)計
ESD：Electrostatic Discharge，即是靜電放電，每個從事硬件設(shè)計和生產(chǎn)的工程師都必須掌握ESD的相關(guān)知識。為了定量表征ESD特性，一般將ESD轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式，ESD的模型有很多種，下面介紹*常用的三種：
1．HBM：Human Body Model，人體模型：(1500Ω±10％ / 100PF±10％)
該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件HBM模型的ESD等級。
2．MM：Machine Model，機(jī)器模型：(0Ω±10％ / 200PF±10％)
機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容（Cb）是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實際上機(jī)器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。
3．CDM：Charged Device Model，充電器件模型：
半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式（金屬、陶瓷、塑料）。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料（如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等）相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的，器件帶電模型如下：
器件的ESD等級一般按以上三種模型測試，大部分ESD敏感器件手冊上都有器件的ESD數(shù)據(jù)，一般給出的是HBM和MM。
通過器件的ESD數(shù)據(jù)可以了解器件的ESD特性，但要注意，器件的每個管腳的ESD特性差異較大，某些管腳的ESD電壓會特別低，一般來說，高速端口，高阻輸入端口，模擬端口ESD電壓會比較低。
ESD防護(hù)是一項系統(tǒng)工程，需要各個環(huán)節(jié)實施**的控制。下圖是一個ESD防護(hù)的流程圖：
ESD防護(hù)設(shè)計可分為單板防護(hù)設(shè)計、系統(tǒng)防護(hù)設(shè)計、加工環(huán)境設(shè)計和應(yīng)用環(huán)境防護(hù)設(shè)計，單板防護(hù)設(shè)計可以提高單板ESD水平，降低系統(tǒng)設(shè)計難度和系統(tǒng)組裝的靜電防護(hù)要求。當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計還不能滿足要求時，需要進(jìn)行應(yīng)用環(huán)境設(shè)計防護(hù)設(shè)計。ESD敏感器件在裝聯(lián)和整機(jī)組裝時，環(huán)境的ESD直接加載到器件，所以加工環(huán)境的ESD防護(hù)是至關(guān)重要的。
一般整機(jī)、單板、接口的接觸放電應(yīng)達(dá)到±2000V（HBM）以上的防護(hù)要求。器件的ESD防護(hù)設(shè)計是在器件不能滿足ESD環(huán)境要求的情況下，通過衰減加到器件上的ESD能量達(dá)到保護(hù)器件的目的。ESD是電荷放電，具有電壓高，持續(xù)時間短的特點，根據(jù)這些特點，ESD能量衰減可通過電壓限制、電流限制、高通濾波、帶通濾波等方式實現(xiàn)，所以防護(hù)電路的形式多種多樣。 看過這三種ESD模型及其防護(hù)設(shè)計，大家有什么想法沒有？
靜電放電發(fā)生器的詳細(xì)參數(shù)，請參閱鏈接：www.dgzhongsheng.com/ProductShow.asp。
ESD：Electrostatic Discharge，即是靜電放電，每個從事硬件設(shè)計和生產(chǎn)的工程師都必須掌握ESD的相關(guān)知識。為了定量表征ESD特性，一般將ESD轉(zhuǎn)化成模型表達(dá)方式，ESD的模型有很多種，下面介紹*常用的三種：
1．HBM：Human Body Model，人體模型：(1500Ω±10％ / 100PF±10％)
該模型表征人體帶電接觸器件放電，Rb為等效人體電阻，Cb為等效人體電容。等效電路如下圖。圖中同時給出了器件HBM模型的ESD等級。
2．MM：Machine Model，機(jī)器模型：(0Ω±10％ / 200PF±10％)
機(jī)器模型的等效電路與人體模型相似，但等效電容（Cb）是200pF，等效電阻為0，機(jī)器模型與人體模型的差異較大，實際上機(jī)器的儲電電容變化較大，但為了描述的統(tǒng)一，取200pF。由于機(jī)器模型放電時沒有電阻，且儲電電容大于人體模式，同等電壓對器件的損害，機(jī)器模式遠(yuǎn)大于人體模型。
3．CDM：Charged Device Model，充電器件模型：
半導(dǎo)體器件主要采用三種封裝型式（金屬、陶瓷、塑料）。它們在裝配、傳遞、試驗、測試、運輸及存貯過程中，由于管殼與其它絕緣材料（如包裝用的塑料袋、傳遞用的塑料容器等）相互磨擦，就會使管殼帶電。器件本身作為電容器的一個極板而存貯電荷。CDM模型就是基于已帶電的器件通過管腳與地接觸時，發(fā)生對地放電引起器件失效而建立的，器件帶電模型如下：
器件的ESD等級一般按以上三種模型測試，大部分ESD敏感器件手冊上都有器件的ESD數(shù)據(jù)，一般給出的是HBM和MM。
通過器件的ESD數(shù)據(jù)可以了解器件的ESD特性，但要注意，器件的每個管腳的ESD特性差異較大，某些管腳的ESD電壓會特別低，一般來說，高速端口，高阻輸入端口，模擬端口ESD電壓會比較低。
ESD防護(hù)是一項系統(tǒng)工程，需要各個環(huán)節(jié)實施**的控制。下圖是一個ESD防護(hù)的流程圖：
ESD防護(hù)設(shè)計可分為單板防護(hù)設(shè)計、系統(tǒng)防護(hù)設(shè)計、加工環(huán)境設(shè)計和應(yīng)用環(huán)境防護(hù)設(shè)計，單板防護(hù)設(shè)計可以提高單板ESD水平，降低系統(tǒng)設(shè)計難度和系統(tǒng)組裝的靜電防護(hù)要求。當(dāng)系統(tǒng)設(shè)計還不能滿足要求時，需要進(jìn)行應(yīng)用環(huán)境設(shè)計防護(hù)設(shè)計。ESD敏感器件在裝聯(lián)和整機(jī)組裝時，環(huán)境的ESD直接加載到器件，所以加工環(huán)境的ESD防護(hù)是至關(guān)重要的。
一般整機(jī)、單板、接口的接觸放電應(yīng)達(dá)到±2000V（HBM）以上的防護(hù)要求。器件的ESD防護(hù)設(shè)計是在器件不能滿足ESD環(huán)境要求的情況下，通過衰減加到器件上的ESD能量達(dá)到保護(hù)器件的目的。ESD是電荷放電，具有電壓高，持續(xù)時間短的特點，根據(jù)這些特點，ESD能量衰減可通過電壓限制、電流限制、高通濾波、帶通濾波等方式實現(xiàn)，所以防護(hù)電路的形式多種多樣。 看過這三種ESD模型及其防護(hù)設(shè)計，大家有什么想法沒有？
靜電放電發(fā)生器的詳細(xì)參數(shù)，請參閱鏈接：www.dgzhongsheng.com/ProductShow.asp。
